速度提升1000倍　Intel及Micron推3D XPoint记忆体

英特尔（Intel）与美光科技（Micron）发表一种新型记忆体晶片3D XPoint，据说速度比NAND Flash（储存型快闪记忆体）快1000倍，可能对运算装置、服务与应用带来革命性的变革。

据《科技新报》报导，英特尔与美光共同发表新型非挥发性记忆体晶片3D XPoint，且可同时取代DRAM与NAND在运算端的需求，据官方发表的资讯，速度将可提升到NAND Flash的1000倍、耐用度也提升了1000倍、密度将比DRAM高出10倍，处理器与资料之间的延迟将可被降低，当分析速度加快，也开启了更大的运用范畴，机器学习、即时追踪疾病以及超拟真8K游戏等在未来都将成为可能。

半导体产业每隔几年总有新型记忆体技术发表，诸如惠普、IBM、还有飞思卡尔等都尝试过创造要比现有技术更快、密度更高、成本更低廉或各种条件权衡之下的替代品，但大多都因为昂贵、易碎等因素难以取代主流技术。

英特尔与美光早在2005年即一同携手进军NAND Flash市场，今日再一同发表新的3D XPoint非挥发性记忆体，成为挑战者之一，且意图做个革新者，3D XPoint 技术意图取代DRAM与NAND Falsh在运算端的需求，且其强调，已在成本与功耗、效能之间取得平衡。英特尔称3D Xpoint为1989年NAND快闪晶片推出以来，市面首见的主流存储晶片。

其不像DRAM，3D Xpoint不需要电晶体就可以执行读写，结构上近似现在较先进的3D NAND 技术皆为3D架构，但不像NAND以电荷（electrical charge）储存资讯，而是储存在架构中字组线（word line）与位元线（bit line）的交叉点上，系统因此得以单独存取每个储存单元，当系统能以小单位读取与写入资料，读写程序将变得更快。

目前官方给的讯息，记忆体储存单元配置共1280亿个，且为可堆叠，目前初步技术堆叠至两层、每个晶粒储存容量在128GB，未来将持续发展更高层的堆叠技术增加储存容量。

早前三星推出8GB DDR4 DRAM，美光发表3D Xpoint时也指出，未来将可提供容量高达2TB、密度比DRAM高125倍的DRAM晶片。